Bu kaydın yasal hükümlere uygun olmadığını düşünüyorsanız lütfen sayfa sonundaki Hata Bildir bağlantısını takip ederek bildirimde bulununuz. Kayıtlar ilgili üniversite yöneticileri tarafından eklenmektedir. Nadiren de olsa kayıtlarla ilgili hatalar oluşabilmektedir. MİTOS internet üzerindeki herhangi bir ödev sitesi değildir!

GaN metal yarıiletken metal fotodedektör üretim parametreleri ve karakterizasyonu

Diğer Başlık: Production parameters and characterization of GaN metal semiconductor metal photodetector

Oluşturulma Tarihi: 2017

Niteleme Bilgileri

Tür: Tez

Alt Tür: Yüksek Lisans Tezi

Yayınlanma Durumu: Yayınlanmış

Dosya Biçimi: PDF

Dil: Türkçe

Konu(lar): BİLİM, Fizik,

Yazar(lar): BOĞA, Selvi Songül (Yazar),

Emeği Geçen(ler): KABAK, Mehmet (Tez Danışmanı),


Yayınlayan: Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Yayın Yeri: Ankara Yayın Tarihi: 2017 Yayınlandığı Sayfalar: 59 s.


Dosya:
file show file
Görüntüle
download file
Kaydet

Anahtar Kelimeler

Fotodedektör; GaN; MSM; karanlık akım ,  Photodetector; GaN; MSM; dark current 


Özet

Bu tez çalışmasında geniş dalgaboyu aralığına sahip GaN tabanlı metal yarıiletken metal fotodedektörlerinin üretimi için uygun iş akışı ve karakterizasyonları ortaya konulmaya çalışılmıştır. Fotodedektörlerde çok önemli olan karanlık akımın en az olması için en uygun üretim yöntemler belirlenmeye çalışılmıştır. Fotodedektör prototipi üretiminde uygun iş akışı belirlenmiş ve üretilen aygıt için karakterizasyon aşamasına geçilmiştir. Bir dedektörün ideal olup olmadığını belirleyebilmek için bazı parametreler vardır. Dedektör parametreleri çeşitli testler ile ölçülerek ürünün karakterizasyon işlemleri gerçekleştirilmiştir. Üretimi tamamlamış olan GaN katkılı MSM fotodedektörün de ideal olup olmadığını belirleyebilmek için, akım-gerilim, tayfsal yanıt, kuantum verimliliği ve  doğrusallık gibi ölçümler yapılmıştır.

Abstract

In this thesis, wide range wavelength of GaN induced metal semiconductor metal photodetectors have been utilized in the production stage and characterized. One of the major problems of photodetector devices is the dark current and photodetectors have been designed with the aim to minimize the dark current. The fabrication methods and process flowchart have been chosen to be suitable for GaN containing metalsemiconductor-metal processes and to yield minimum dark current, and prototype devices have been fabricated. Several parameters exist to determine whether the performance of a photodetector is adequate, hence, the fabricated prototypes have been characterized through measurements of these parameters by various testing methods. The specific parameters measured to evaluate the performance of the GaN metalsemiconductor-metal photodetectors are the current–voltage characteristics, spectral response, quantum efficiency, and response time.



İçindekiler



Açıklamalar



Haklar



Notlar



Kaynakça


Atıf Yapanlar

Gözat Sayfasına Dön

 

Sosyal Medya ve Araçlar

İstatistikler

  • Kayıt
    • Bu ay: 0
    • Toplam: 31467
  • Online
    • Ziyaretçi: 323
    • Üye: 0
    • Toplam: 323

Detaylı İstatistikler